Fernando Sabino, aluno de doutorado do IFSC/IQSC, foi o palestrante convidado de mais uma edição do programa Journal Club, que ocorreu no dia 12 de setembro, no Instituto de Física de São Carlos, que apresentou o tema “Origem Microscópica de Acumulação de Elétrons no In_20_3”, onde promoveu uma discussão em torno da origem do acumulo de elétrons no Indium Oxide.
Uma fotoemissão espectroscópica revelou a presença de um gás de elétron bidimensional na superfície do In_20_3 (111).
Um estado de código “subband” quantizado surgiu dentro de um potencial confinante associado ao acúmulo de elétrons de sua superfície.
Cálculos de Poisson-Schrödinger acoplados sugerem que a banda de condução flexionada para baixo deve ser maior do que a faixa de flexão da banda de valência.
Vacâncias de oxigênio na superfície atuam como doadores rasos duplamente ionizados para fornecerem os elétrons livres dentro desta camada de acumulação.
A identificação da origem deste acúmulo de elétrons nas transparentes conduções tem significativas implicações na realização de dispositivos baseados nesses compostos.
Assessoria de Comunicação
