O Grupo de Pesquisa em Nanomateriais e Cerâmicas Avançadas (NaCa-IFSC/USP) realizou no dia 06 de julho, em suas instalações localizadas no Campus-II da USP São Carlos, mais um seminário, desta vez apresentado pela jovem pesquisadora iraniana Hedieh Mahmoudnia (PhD) (doutorado sanduíche), subordinado ao tema Investigation of sulfur passivation of GaAs surface effect on sensing characteristics of Schottky junction based on GaAs.
Em sua apresentação, Hedieh Mahmoudnia mostrou que a demanda da junção Schottky, baseada em GaAs na aplicação do sensor, tem sido tremenda devido às características desse semicondutor, como alta mobilidade da portadora e baixo ruído.
Um obstáculo comum ao desenvolvimento do sensor Schottky baseado em GaAs caracteriza-se por suas altas densidades de estados superficiais. Um dos métodos mais eficientes para reduzir a densidade superficial do estado na superfície de GaAs é a passivação de enxofre, o que poderia aumentar a sensibilidade do sensor de gás.
Neste trabalho de pesquisa, o efeito da passivação de enxofre da superfície de GaAs na diminuição de sua densidade de superfície de estado também foi estudada, bem como a sensibilidade do gás da junção de Schottky baseada em GaAs.
Assessoria de Comunicação – IFSC/USP
