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24 de outubro de 2012

Imunossensores baseados em transistores de efeito de campo de gate estendido

O Grupo de Polímeros do IFSC realizou, no dia 23 de outubro, um seminário especial dedicado ao tema “Imunossensores baseados em transistores de efeito de campo de gate estendido”, apresentado pelos alunos Alessandra Figueiredo e Nirton Vieira.

Visando contribuir para o desenvolvimento de plataformas integradas de diagnóstico rápido, o trabalho apresentado por Alessandra e Nirton apresentou o desenvolvimento polimeros2012-300de um dispositivo imunossensor capaz de detectar potenciais proteínas marcadoras de doenças negligenciadas e outras enfermidades.

A ideia central é a utilização de transistores de efeito de campo (FET’s) de gate estendido como transdutores de sinal, para a detecção direta das interações antígeno/anticorpo.

Imunossensores de efeito de campo apresentam diversas vantagens, como elevada sensibilidade, facilidade experimental e possibilidade de confecção em larga escala.

Alessandra Figueiredo é orientada pelo Prof. Dr. Francisco Guimarães, e Nirton Vieira tem como supervisor o Prof. Dr. Valtencir Zucolotto.

 

Assessoria de Comunicação

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Instituto de Física de São Carlos - IFSC Universidade de São Paulo - USP
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