Na mais recente edição do Journal Club, que decorreu no dia 12 de agosto, na Sala Celeste do Instituto de Física de São Carlos (IFSC/USP), o Prof. Dr. Alexander Khaetskii (University of Buffalo – EUA) apresentou o seminário Spin-orbit interaction and related transport phenomena in 2D electron and hole system, onde falou sobre o transporte de elétrons em sistemas de duas dimensões, um assunto que atrai muita atenção, já que tem aplicação direta em dispositivos eletrônicos.
Aliás, Khaetskii discutiu a importância da interação spin-órbita no transporte, tendo dito que essa relação faz com que o spin dos elétrons se acumule nas bordas de dispositivos nanoscópicos e descrito um novo efeito que descobriu: a resistência elétrica dos dispositivos pode aumentar quando se aplica um campo magnético, desde que o dispositivo possua impurezas e que a interação spin-órbita seja forte.
O Prof. Khaetskii começou sua carreira científica no início da década de 1980, no Instituto de Energia Elétrica de Leningrado (hoje, São Petersburgo), na ex-União Soviética. No final da mesma década, foi contratado pelo Instituto de Microeletrônica da Academia de Ciências da Rússia, e passou a manter forte colaboração com diversas outras instituições européias. Mais recentemente, se mudou para a University of Buffalo, do sistema de Universidades do Estado de Nova Iorque (SUNY, na sigla em inglês).
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