O IFSC/USP realizou na tarde do dia 13 de agosto um Seminário Especial com a participação do pesquisador belga Benoît Hackens do Institut de la Matiere Condensée et des Nanosciences (IMCN), Université Catholique de Louvain (UCL), Louvain-la-Neuve, Bélgica, que dissertou sobre o tema Imaging and tuning Schrödinger and Dirac charge carrier dynamics inside nanodevices.
O transporte quântico em nanodispositivos é geralmente sondado graças a medições da resistência elétrica ou condutância, que não possuem a resolução espacial necessária para sondar o comportamento de elétrons em escala local dentro dos dispositivos.
Em seu seminário, Hackens lançou a discussão em como obter informações do espaço real sobre fenômenos de transporte quântico peculiares dentro de vários dispositivos mesoscópicos. Os resultados foram obtidos usando microscopia de varredura de baixa temperatura (SGM), que consiste em mapear a condutância elétrica de um dispositivo como uma ponta metálica afiada eletricamente na sua vizinhança [1].
Se a perturbação induzida pela ponta é relativamente pequena, a SGM é uma técnica de imagem que dá acesso à densidade local de estados dentro de dispositivos mesoscópicos. Quando a perturbação induzida pela ponta é maior, ela pode ser vista como um centro de espalhamento móvel cuja forma pode ser ajustada variando a tensão da ponta e a distância da ponta da amostra.
O palestrante ilustrou como ambos os modos SGM ajudaram a desvendar aspectos peculiares da dinâmica da transportadora de carga relativística dentro de dispositivos de grafeno e dentro de dispositivos extraídos de heteroestruturas de semicondutores que hospedam sistemas de elétrons bidimensionais “convencionais”.
Dependendo do tipo de portadores de carga, diferentes fenômenos de dispersão fundamental determinam sua interação com o potencial de espalhamento, desde retroespalhamento “simples” até tunelamento de Klein, e isso também pode ser evidenciado e estudado em detalhes graças aos experimentos de SGM.
Assessoria de Comunicação – IFSC/USP
